以幾十電子伏特或更高動能的荷電粒子炮擊資料外表，使其濺射出進入氣相，可用來刻蝕和鍍膜。入射一個離子所濺射出的原子個數稱為濺射產額(Yield)產額越高濺射速度越快，以Cu,Au,Ag等最高，Ti,Mo,Ta,W等最低。一般在0.1-10原子/離子。離子能夠直流輝光放電(glow discharge)發(fā)生，在10-1—10 Pa真空度，在兩極間加高壓發(fā)生放電，正離子會炮擊負電之靶材而濺射也靶材，而鍍至被鍍物上。
正常輝光放電(glow discharge)的電流密度與陰極物質與形狀、氣體品種壓力等有關。濺鍍時應盡也許保持其安穩(wěn)。任何資料皆可濺射鍍膜，即便高熔點資料也簡單濺鍍，但對非導體靶材須以射頻(RF)或脈沖(pulse)濺射;且因導電性較差，濺鍍功率及速度較低。金屬濺鍍功率可達10W/cm2，非金屬<5W/cm2
二極濺鍍射：靶材為陰極，被鍍工件及工件架為陽極，氣體(氬氣Ar)壓力約幾Pa或更高方可得較高鍍率。
磁控濺射：在陰極靶外表構成一正交電磁場，在此區(qū)電子密度高，進而進步離子密度，使得濺鍍率進步(一個數量級)，濺射速度可達0.1—1 um/min膜層附著力較蒸鍍佳，是現在最有用的鍍膜技能之一。
關鍵詞：真空鍍膜機
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